Ion doping strategy is a promising method to enhance the efficiency of Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)solar cells,however,most of......

相比于第三代半导体材料碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），氧化镓（Ga2O3）具有禁带宽度更大、击穿电场更强、吸收截止边更短、生长成本更低等优点......

较高的表面能是ＳｉＯ２薄膜产生亲水性并导致体内贮存电荷失稳的重要原因。极性Ｐｂ６２＋离子的掺入有效地降低了ＳｉＯ２薄膜的表面能，使表面趋于中性，增强了......